삼성전자, 중국 시안시에 반도체공장 건설

삼성전자는 21일 중국 내 차세대 낸드 플래시 생산 라인을 건설하기 위해 산시(陝西)성 시안시와 양해각서(MOU) 체결을 위한 실무 협상을 시작한다고 밝혔다.

삼성전자는 지난해 12월 반도체 중국 진출을 지식경제부에 신청해 지난 1월 승인받았다. 삼성의 해외 반도체 공장 건설은 1996년 미국 오스틴에 이어 두번째이다.

삼성전자는 시안시와 실무 협상이 원만하게 마무리하고 중국 정부의 승인 절차가 완료하면 연내 건설에 착수, 내년 말부터 생산 라인 가동에 들어갈 계획이다.

시안시는 반도체 라인 운영에 필요한 산업용수, 전기 등 산업 인프라가 잘 갖추어져 있고 다양한 IT(정보기술) 기업의 연구 거점과 유수의 대학들이 있어 우수 인재를 확보할 수 있는 이점이 있는 것으로 알려졌다.

특히 시안을 중심으로 한 중국 서부는 글로벌 IT 기업들이 생산 거점으로 속속 진출하고 있고 중국 고객들이 지속적으로 확대되고 있어 신속한 시장 트렌드 반영과 고객 대응이 가능한 전략 거점으로 성장할 것으로 전망된다.

삼성전자는 올해 고성능 대용량 10나노급 낸드플래시를 양산해 프리미엄 메모리 시장을 주도하고 내년부터는 중국에서도 10나노급 낸드플래시 양산을 개시해 중국 시장을 선점한다는 계획이다.