삼성전자, '20나노 모바일메모리' 세계 첫 양산
2012-05-18 유성용 기자
삼성전자는 지난달부터 20나노급 4Gb 저전력(LP)DDR2 모바일 D램의 양산에 들어갔다고 18일 밝혔다.
이로써 삼성전자는 지난 3월 20나노급 8GB DDR3 노트북 모듈 양산에 이어 지난달부터 20나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 업계 최대 프리미엄 4Gb D램 라인업을 확보했다.
세계 최초로 양산한 20나노급 4Gb D램 제품군은 세계 최고의 초박형, 대용량, 고성능을 갖췄다. 최소 칩 사이즈로 울트라슬림 디자인이 가능해 모바일 제조업체들이 새롭게 출시할 차세대 시스템의 핵심 요소가 될 전망이다.
삼성전자는 지난해 3월 30나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 모바일 메모리를 최대용량인 2GB까지 확대시킨 바 있다.
이번에 최소 칩사이즈인 20나노급 양산으로 업계에서는 유일하게 차세대 울트라 슬림 모바일기기에 적합한 초박형 0.8mm 2GB LPDDR2를 공급하게 됐다.
삼성전자는 30나노급 모바일 D램에 이어 20나노급 모바일 D램에서 더욱 확고한 경쟁 우위를 확보, 모바일 메모리 시장을 지속적으로 주도하게 됐다.
20나노 4Gb 모바일 D램을 4단 쌓은 16Gb(2GB) 제품은 30나노 제품에 비해 두께는 20% 줄었고, 최대 1천66Mbps 동작 속도와 동일한 소비 전력을 구현했다.
메모리사업부 홍완훈 부사장은 "작년에 업계 처음으로 30나노급 4Gb D램 양산으로 4Gb D램 시장을 본격 확대했다. 올해 20나노급 4Gb 양산으로 프리미엄 메모리 시장을 더욱 차별화시킬 수 있게 됐다"며 "올 하반기에는 20나노급 D램 비중을 늘려 4Gb D램을 메인 제품으로 자리 잡도록 해 프리미엄 시장을 선점하고 경쟁력 우위를 더욱 강화해 나갈 것"이라고 밝혔다.