삼성전자, 업계 최초 12나노급 16Gb DDR5 D램 개발…2023년 양산
2022-12-21 이철호 기자
삼성전자는 유전율이 높은 신소재를 적용하여 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다. 또 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다.
새로운 12나노급 DDR5 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.
DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 또한, 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼, 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며, 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.
삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하는 한편, 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.
시장조사기관 옴디아는 전체 D램 생산 중 DDR5가 2023년 점유율 20.1%를 차지하며, 2025년에는 40.5%까지 높아질 것으로 예측했다. 삼성전자는 새로운 12나노급 16Gb DDR5 D램을 앞세워 DDR5 시장 확대에 박차를 가할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며, “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다.
AMD 조 매크리(Joe Macri) 최고기술책임자(CTO)는 “기술의 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다”며, “AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다”고 말했다.
[소비자가만드는신문=이철호 기자]
삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며, 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.
삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하는 한편, 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.
시장조사기관 옴디아는 전체 D램 생산 중 DDR5가 2023년 점유율 20.1%를 차지하며, 2025년에는 40.5%까지 높아질 것으로 예측했다. 삼성전자는 새로운 12나노급 16Gb DDR5 D램을 앞세워 DDR5 시장 확대에 박차를 가할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며, “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다.
AMD 조 매크리(Joe Macri) 최고기술책임자(CTO)는 “기술의 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다”며, “AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다”고 말했다.
[소비자가만드는신문=이철호 기자]