20일 삼성전자 감사보고서에 따르면 지난해 유형자산 취득을 통한 시설투자는 57조6113억 원으로 전년에 비해 16.6% 증가했다.
삼성전자 유형자산 취득액이 50조 원을 넘어선 것은 이번이 처음이다. 기간을 늘려 5년 전과 비교하면 지난해 유형자산 취득은 두 배 이상 늘었다.
삼성전자는 지난해 메모리 반도체 중장기 수요 대응을 위해 평택 사업장에 클린룸 설비를 늘렸다.
또 고대역폭메모리(HBM)·DDR5 등 첨단공정 생산 능력 시설도 확충했다. 삼성전자는 지난해 HBM 시설 투자를 전년에 비해 2.5배 늘렸다.
파운드리(반도체 위탁생산)는 EUV(극자외선)를 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산 능력을 키웠다. 미래 수요 대응을 위해 미국 테일러 공장 인프라 투자도 단행했다.
올해 메모리 시황과 IT 수요 회복에 대한 기대감이 커지는 상황에서 삼성전자가 선제적 시설 투자를 단행한 모습이다.
삼성전자는 올해도 시설투자와 R&D 투자를 이어갈 방침이다. 삼성전자 관계자는 “올해는 AI 반도체에 적극 대응하고 AI 탑재 제품 시장 선점을 추진할 것”이라고 밝혔다.
D램에 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량 1b나도 32기가바이트 DDR5 도입에 나선다. 차세대 HBM3E의 양산에 나서 생성형 AI 확산에 따른 수요도 잡을 방침이다. 하반기에는 HBM 3E 12H로의 전환도 가속화 할 계획이다.
한편 삼성전자는 지난해 R&D에 28조3400억 원을 투자했다. 전년에 비해 13.7% 늘었으며 역대 최대다. 지난해 매출은 258조1600억 원, 영업이익은 6조5400억 원으로 전년 대비 각각 14.6%, 84.9% 감소했다.
[소비자가만드는신문=유성용 기자]
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