3비트 V낸드는 삼성전자가 지난 5월부터 양산하기 시작한 2세대 V낸드에 3비트 기술을 적용한 10나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ)급 128기가비트(Gb) 제품으로 셀을 32단으로 쌓아올리는 2세대 V낸드 공정을 그대로 유지하면서 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘림으로써 셀 저장 용량을 1.5배로 확대했다.
기존의 10나노급 평면구조 낸드플래시보다는 생산성이 2배 이상 향상됐다.
트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시에만 적용됐으며, 수직구조의 V낸드에 적용된 것은 처음이다.
삼성전자는 "3비트 V낸드 양산으로 솔리드스테이트드라이브(SSD) 라인업을 기존 프리미엄 서버용 제품에서 보급형 PC용 제품까지 대폭 늘려 V낸드 시장을 확대해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
[소비자가만드는신문=윤주애 기자]
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