삼성전자 '24Gbps GDDR6 D램'은 EUV(극자외선) 노광 장비를 활용했으며 3세대 10나노급(1z) 공정을 기반으로 한 16Gb 제품이다. ‘3세대 10나노급 D램 기술’은 초고속·저전력·초박막 회로를 구현한 혁신 기술로 독보적인 제품 경쟁력을 확보했다는 평가를 받고 있다.
'24Gbps GDDR6 D램'에는 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, HKMG) 기술도 적용됐다. 이 기술은 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 것으로 누설전류를 최소화했다. 기존 18Gbps GDDR6 D램 대비 약 30% 이상 동작 속도가 향상됐다.
특히 삼성전자는 국제 반도체 표준화 기구 JEDEC의 표준규격에 맞춰 GDDR6 D램을 개발해, AI/그래픽 가속기 업체들이 쉽게 채용할 수 있도록 호환성을 확보했다.
삼성전자는 저전력 동적 전압 기술(DVS)을 적용해 고객의 다양한 요구에 맞춰 20% 이상 향상된 전력 효율을 제공하는 솔루션도 마련했다. 특히 동작 전압을 기존 1.35V보다 낮은 1.1V까지 지원해, 노트북 사용자들의 배터리 사용시간이 크게 증가할 것으로 기대된다.
'24Gbps GDDR6 D램'은 업계 최고 수준의 속도와 전력 효율을 확보해 PC, 노트북, 게임 콘솔 등 우수한 그래픽 성능이 요구되는 분야에서 차별화된 사용자 경험을 제공하게 됐다는 게 회사 측의 설명이다. 또한 향후 차세대 고성능 컴퓨팅(HPC), 전기차, 자율주행차 등 다양한 분야에서도 폭넓게 활용될 것으로 기대된다.
삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 "'24Gbps GDDR6 D램'은 이달 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 검증이 시작될 예정"이라며 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 제품을 적기에 상용화하고, 이를 통해 차세대 그래픽 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.
[소비자가만드는신문=김강호 기자]
