25일 하이닉스에 따르면 최근 54나노 공정 기술 개발을 끝내고 미국 인텔로부터 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득했다.
이번 54나노 1Gb DDR2 D램은 정보처리 속도가 800Mbps에 달하는 초고속 제품으로, 현재 양산 중인 66나노 공정에 비해 50％ 이상 생산성이 증가됐다.
인텔 인증은 새로 개발된 D램 등이 상용 제품에 쓰이는 데 적합하다는 것을 의미하는 사실상 업계 공인으로, 제품 양산과 상업화를 위한 주요 절차다.
하이닉스는 이 공정 기술을 1Gb DDR3 D램 제품까지 확대시킬 계획이며, 1Gb DDR2 D램 제품을 DDR3 D램 제품과 더불어 내년 하반기부터 본격 양산하기로 했다.
하이닉스가 50나노급 1Gb D램에서 인텔 인증을 받은 것은 삼성전자(7월)에 이어 두 번째다. 해외 업체들이 여전히 70-80나노 제품에 매달리고 있다는 점에서 국내 반도체 업체들이 내년에도 세계 D램 시장을 선도할 전망이다.
또 하이닉스는 이 제품에 새로운 공정 기술을 도입해 기능도 향상시켰다.
반도체를 입체적으로 설계해 제품의 동작을 더욱 안정적으로 만든 '3차원 트랜지스터' 기술과 '텅스텐 듀얼 폴리 게이트(W-DPG) 공정'이 그것이다. 하이닉스는 누설 전류를 제어해 전력 소비를 줄이면서 동작 속도는 향상시킬 수 있는 획기적인 기술이라고 밝혔다.
하이닉스 관계자는 "이 제품의 기술 보완을 통해 향후 수요가 증가할 것으로 기대되는 대용량 PC용 D램, 그래픽 D램, 모바일 D램 등 다양한 고부가가치 제품에 확대 적용해 제품 경쟁력을 높여 나가겠다"고 말했다.
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