24일 산업자원부에 따르면 삼성전자와 하이닉스는 테라비트급 차세대 메모리 소자 원천기술 개발에 공동 참여하기로 하고 이날 서울 행당동 한양대 종합기술원에서 공동 연구.개발(R&D) 협약식을 가졌다.
양사는 2년간 90억원을 투자해 기술교류, 연구성과 교차평가 등을 통해 협력체제를 운영해나갈 계획이다.
테라비트(tbps)는 1조 비트에 해당되는 정보량으로, 테라비트급 메모리는 1만2천500년분의 신문기사나 50만곡의 MP3파일 또는 1천250편의 DVD영화를 저장할 수 있는 용량이다.
이처럼 대기업 간의 협력이 성사된 것은 차세대 메모리 원천기술을 조기에 개발해 메모리시장을 재장악하려는 일본업체들의 움직임도 영향을 미쳤기 때문이다.
일본은 도시바와 NEC, 후지쯔 등 3사의 주도로 지난 2006년부터 차세대 메모리의 유력한 대안인 STT-MRAM(수직자기형 비휘발성 메모리) 개발에 30억엔을 투입하는 국가 R&D사업을 진행하고 있다.
삼성전자와 하이닉스는 공동 R&D와 함께 정부가 추진해온 차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업 1단계 프로그램 과정에서 나온 비휘발성 메모리(전원이 끊어져도 데이터가 없어지지 않는 메모리) 소자 및 제조방법, 고집적 비휘발성 메모리용 상변화 재료 등 모두 8건의 특허도 구매했다.
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