SK하이닉스(대표 이석희)가 반기 기준으로는 최초로 연구개발에 1조5000억 원 이상을 투자한 것으로 나타났다.

2011년 말 SK그룹이 하이닉스를 인수한 이후 SK하이닉스는 연구개발비를 해마다 20% 가까이 늘려왔는데 최근 업황침체에도 불구하고 기술혁신에 투자를 아끼지 않고 있다.

금융감독원 전자공시시스템에 따르면 SK하이닉스는 올 상반기 연구개발비로 1조5315억 원을 사용했다. 상반기 매출은 13조2249억 원을 기록해 매출 대비 연구개발비 비중은 11.6%를 차지했다.

SK하이닉스가 반기 기준 연구개발비를 1조5000억 원 이상 쓴 것은 이번이 처음이다. 지난해 같은 기간과 비교하면 연구개발비는 18.4% 증가했다. 매출 대비 비중은 지난해 상반기 6.8%보다 3.8%포인트 높아졌다.

SK하이닉스는 올 상반기 뿐 아니라 매년 연구개발비를 20% 안팎으로 늘리고 있다. 특히 최태원 회장에 의해 SK그룹에 인수된 이후에는 연간 연구개발비 증가율이 눈에 띄게 높아졌다.

SK에 인수됐던 2011년 그해 연구개발비는 8338억 원으로 전년 보다 5.5% 증가했다. 하지만 SK에 편입된 첫해 연구개발비 증가율은 12.5%로 높아졌고, 이후에는 줄곧 20% 안팎을 기록하고 있다.

연구개발비 규모는 2013년 처음으로 1조 원을 넘었고, 2016년부터는 2조 원 이상으로 늘었다. 지난해에는 2조8950억 원으로 3조 원에 육박했다. 올 상반기 1조5000억 원 이상을 쓰면서 올해는 연구개발비가 처음으로 3조 원 이상을 기록할 것으로 예상된다.

상반기 연구개발비 역시 2010년과 2011년에는 4000억 원 수준으로 현재의 4분의 1 수준에 그쳤다.

SK 편입 후 매출은 2010년 12조1000억 원에서 지난해 40조4450억 원으로 234.1% 증가했다. 편입 후 매출 대비 연구개발비 비중은 연평균 8.9%로 SK에 인수되기 전인 2010년 6.5%보다 높은 수준을 기록했다.

연구개발에 힘쓰는 SK하이닉스는 기술혁신을 바탕으로 4차 산업혁명의 미래 반도체 시장을 선도해 나간다는 전략이다. 회사 관계자는 “기술집약적 산업인 메모리반도체 산업의 주도권을 지켜나가기 위해 전략적 투자를 이어가고 있다”고 설명했다.

굵직한 성과도 내고 있다. SK하이닉스는 지난 6월 4D 낸드를 기반으로 세계 최초로 128단 1Tbit(테라비트) TLC 4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나섰다. 128단 1Tb 4D 낸드는 웨이퍼당 비트 생산성이 기존 96단 4D 낸드 대비 40% 향상됐다. 현재는 128단 4D 낸드와 동일한 플랫폼으로 차세대 176단 4D 낸드 제품을 개발 중이다.

5월에는 낸드 1테라비트(Terabit) QLC 제품도 개발해 주요 SSD 컨트롤러 업체에 샘플을 출하했다.

지난해 11월에는 96단 적층 ‘CTF(Charge Trap Flash) 기반 4D 낸드플래시’를 개발했는데, 데이터를 저장하는 셀 영역 하부에 셀 작동을 관장하는 주변부 회로를 배치하는 PUC 기술을 최초로 도입해 업계 최고 수준의 성능과 생산성을 구현했다. 또 1y나노급 8Gbit DDR4 D램 개발도 완료했다.

2017년 1분기에는 업계 최초로 72단 3D 낸드플래시 개발에 성공했다. 이를 통해 고용량 모바일 eMMC 및 PCIe Client SSD 제품을 출시하며 고성능, 고신뢰성, 저전력을 구현해 3D 낸드 기반 솔루션 사업 경쟁력을 강화했다.

SK하이닉스는 업계 선두 업체로서의 위상을 지켜나가기 위해 연구개발을 통한 기술혁신 외에도 인수합병(M&A)과 시설투자도 적극 나서고 있다.

낸드플래시의 성능을 좌우하는 컨트롤러 개발 역량을 확보하기 위해 2012년 미국의 LAMD 및 이탈리아의 아이디어플래시, 2013년 대만의 이노스터 컨트롤러 사업부, 2014년 벨라루스의 소프텍 등을 인수했다.

국내에서도 2012년 분당에 플래시 솔루션 디자인 센터, 2013년 KAIST에 스토리지 미디어 솔루션스 센터 등을 설립했다.

SK하이닉스는 2017년 10조3000억 원, 지난해에는 사상 최대인 17조 원의 투자를 집행했다. 2020년 하반기 까지는 3조5000억 원을 투자해 경기도 이천에 신규 반도체 공장(M16)을 건설할 예정이다. 경기도 용인시 원삼면 일대 448만㎡(약 135만평) 규모의 부지에 120조 원을 들여 4개의 반도체 팹(FAB)을 건설하는 반도체 클러스터 조성사업에도 나섰다.

SK하이닉스 관계자는 “인수합병과 투자 등 낸드 솔루션 역량 강화 작업은 모바일 및 서버 기기 등에 쓰이는 eMCP, eMMC, UFS, SSD 등의 다양한 응용복합제품을 개발하고 양산하는 원동력이 됐다”고 말했다.

[소비자가만드는신문 = 유성용 기자]