올해는 투자 목표액도 역대 최대다. 질화갈륨(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 기반 전력반도체 공정기술을 개발하고 생산능력을 확대해 사업 역량을 더욱 강화할 방침이다.
16일 전자공시시스템에 따르면 DB그룹의 제조 계열사 DB하이텍은 지난해 설비 신설과 증설 등에 3501억 원을 투자했다. 당초 목표했던 1545억 원의 2.3배에 해당하는 투자가 이뤄졌다. 투자 규모는 역대 최대다. 3년 연속 1000억 원 이상의 설비투자를 했는데, 매년 기록을 다시 썼다.
특히 지난해는 매출이 1조1542억 원으로 전년에 비해 30.9% 감소했지만 설비투자는 81.1% 늘었다.
지난해 설비투자액은 매출의 30.3%에 달한다. 전년보다 약 20%포인트 올랐다. 884억 원의 연구개발비를 합치면 DB하이텍은 지난해 매출의 38%를 사업역량 강화에 쏟아 부은 셈이다.
DB하이텍이 목표액을 넘어서는 투자를 실시한 것은 지난해가 처음이 아니다. 2022년도 목표는 773억 원이었지만 실제 투자는 1933억 원으로 두 배 넘게 집행됐다. 2021년과 2020년에도 목표의 130~170%에 해당하는 투자가 이뤄졌다.
이 같은 투자흐름은 이례적이다. DB하이텍이 2010년부터 2019년까지 10년간 목표를 넘어서는 투자를 실시한 것은 두 번에 그친다.
올해는 목표로 삼은 투자액도 1807억 원으로 역대 최대다.
DB하이텍은 스마트폰, TV에 사용되는 전력반도체와 센서, 디스플레이 구동칩 등 시장이 크고 부가가치가 높은 특화제품으로 시장을 공략하고 있다.
전력반도체의 경우 자동차 사물인터넷(IoT) 등 신규 영역에서 대형 고객사를 확보할 수 있다고 판단해 설비 등 역량을 키우고 있다.
선제투자를 통해 이르면 2025년부터 다가올 시장 회복기에 실적 향상에 가속도를 더하겠다는 전략이다.
투자 확대에 따라 전력반도체 생산능력은 매년 꾸준히 늘고 있다. 지난해도 부천‧상우캠퍼스에서 생산할 수 있는 반도체 원재료 웨이퍼는 15만1000장으로 전년에 비해 8% 늘었다. 미세 공정 기술을 다룰 수 있는 12인치 파운드리 공정 확대도 속도를 낼 것으로 보인다.
지난해 공장 가동률은 73%로 향후 수요가 확대되면 가파른 실적 상승이 기대된다.
DB하이텍 관계자는 “경쟁우위를 확보하고 있는 전력반도체 제품 라인업을 더욱 고도화하고, 수익성을 높이기 위해 전기차 등에 활용돼 성장 가능성이 크고 부가가치가 높은 GaN, SiC 기반 전력반도체 공정기술 개발과 캐파 확대에 투자하고 있다”고 말했다.
글로벌 시장조사기관 큐와이리서치코리아는 2030년 국내 SiC 전력반도체 소자 시장규모가 연평균 28%씩 성장해 8억 달러(한화 약 1조 원)를 돌파할 것으로 전망한다. 글로벌 시장 규모는 연평균 30%씩 성장해 2029년 150억 달러를 돌파할 것으로 본다.
[소비자가만드는신문=유성용 기자]
