삼성전자는 20나노급(2y나노) 고속 낸드플래시를 기반으로 한 ‘64GB eMMC Pro Class 1500’ 대비 성능을 30% 향상시킨 ‘64GB eMMC Pro Class 2000’ 제품을 선보인다고 15일 밝혔다.
삼성전자는 “이번에 출시하는 64GB eMMC 제품에 삼성전자 독자규격의 eMMC 버전을 적용하면서 내년 JEDEC(국제 반도체표준화기구)에 등록될 차세대 고성능 스토리지 기술의 표준을 주도해 나갈 수 있게 됐다”고 설명했다.
‘64GB eMMC Pro Class 2000’ 제품은 임의쓰기 속도를 2000 IOPS(Input and outputs per second)까지 향상 시켰고, 임의읽기 속도를 5000 IOPS까지 구현했다.
특히 연속읽기 속도, 쓰기 속도가 각각 260MB/s(Megabyte per second), 50MB/s로 약 1.4GB 분량의 영화 한 편을 읽고 쓰는데 각 5.4초, 28초가 걸리는 수준이다. 이는 고속 외장 메모리 카드인 Class 10 제품의 읽기 속도 24MB/s, 쓰기 속도 12MB/s보다 10배 이상 빠른 것이다.
삼성전자 메모리사업부 김명호 상무는 “독자규격의 차세대 내장 스토리지 선행 출시로 모바일 메모리의 솔루션 경쟁력을 더욱 강화했다”며 “향후 어플리케이션 프로세서 업체와 기술 협력을 통해 모바일기기 업체들이 차세대 시스템을 적기에 출시할 수 있게 할 것”이라고 말했다.
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