삼성전자가 중국 산시(陝西)성 시안(西安)에 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설을 시작했다.
삼성전자는 12일 중국정부를 대표한 자오러지 산시성 서기, 한국정부를 대표한 이규형 주중대사와 지경부 윤상직 차관 그리고 권오현 대표이사를 비롯한 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 ‘삼성중국 반도체’ 생산단지 건설을 알리는 기공식 행사를 가졌다.
이날 행사에서 리커창 중국 국무원 부총리는 축하 서신을 통해 “이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과”라고 말했다.
권오현 대표는 환영사를 통해 “한중 수교 20주년을 맞아 첨단 과학과 교육의 도시인 시안에서 기공식을 갖게 되어 영광”이라며 “삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며 향후에도 ‘삼성중국반도체’를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌할 것”이라고 밝혔다.
삼성전자의 시안 공장은 초기 투자금액 23억 달러, 총 투자 규모 70억 달러로 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산할 계획이다. 이번 투자는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모다.
시안은 중국정부가 추진하는 서부대개발의 과학기술 중심도시로 꼽힌다. 또한 반도체 생산라인 운용에 필요한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고 글로벌 IT기업의 생산 중심지 및 연구 거점으로 성장하고 있어 향후 글로벌 오퍼레이션을 강화하는데 최적의 장소로 평가 받았다고 회사 측은 설명했다.
시안에는 37개의 대학교와 3천여개의 연구 기관이 위치하고 있어 반도체 산업에서의 핵심인 우수인재 확보에도 용이한 것으로 알려졌다.
삼성전자는 이미 11일 시안에 위치한 서북공대와 MOU를 체결해 반도체 관련 학과의 우수 학생들에게 장학금을 지급하고 국내 대학과의 교류를 지원했다.
이번 삼성전자의 중국 진출은 미국 오스틴 공장에 이은 두 번째 해외 진출이다. 중국과 미국에 생산단지를 구축한 삼성전자는 향후 안정적인 생산체계 구축으로 시장변화에 빠르게 대응할 수 있을 것으로 전망했다.
