DB하이텍은 내달 16일부터 18일(현지시간)까지 인도 벵갈루루에서 열리는 ‘일렉트로니카 인디아(electronica India) 2026’에 참가한다고 20일 밝혔다. 이 행사는 전자부품과 시스템, 응용 제품 등을 다루는 남아시아 전자산업 전시회다.
DB하이텍은 전시회에서 주력 공정인 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)를 포함해 SiC와 GaN 등 전력반도체 공정 기술과 개발 현황을 소개한다. 현지 팹리스(반도체 설계 전문기업)를 대상으로 신규 파운드리(반도체 위탁생산) 고객도 발굴할 예정이다.
BCD는 아날로그와 디지털 회로, 고전압 전력소자를 하나의 칩에 구현하는 공정을 뜻한다. 전력관리반도체(PMIC) 등에 보통 활용된다. DB하이텍의 관련 공정은 누적 웨이퍼 출하량 900만장을 기록했다. DB하이텍은 자동차와 산업용 반도체 등으로 BCD 적용 분야를 넓히고 있다.
차세대 전력반도체 공정 개발도 진행하고 있다. DB하이텍은 최근 1200볼트(V) SiC 전력 제어용 반도체 소자(MOSFET) 공정 검증을 마쳤다. 650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 마칠 계획이다. 현재 전략 고객을 대상으로 두 공정을 활용한 제품의 성능 평가를 진행하고 있다.
DB하이텍은 2022년부터 SiC·GaN 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다. 고객이 설계한 칩을 시험 생산할 수 있는 GaN 전용 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스도 시작했다.
충북 음성 상우캠퍼스에는 월 3만5000장의 8인치 웨이퍼를 추가 생산할 수 있는 클린룸 증설을 추진 중이며, 증설분에는 GaN과 SiC, BCDMOS 공정이 들어갈 예정이다. DB하이텍은 이와 별도로 향후 5년간 약 2조 원을 투입해 8인치 파운드리를 고도화하고 SiC·GaN 사업화와 고전압 전력반도체 양산 확대를 추진한다.
DB하이텍은 엑스레이와 글로벌 셔터, 단일광자 애벌랜치 다이오드(SPAD) 등에 활용되는 특화 이미지센서(CIS) 공정과 혼합신호(Mixed-Signal)·무선주파수(RF) 공정도 전시회에서 소개한다.
DB하이텍이 인도 시장 공략을 확대하는 것은 현지 반도체 생태계가 빠르게 커지고 있어서다. 인도 정부가 반도체 산업 육성과 투자 확대를 추진하는 가운데 반도체 설계 서비스를 중심으로 성장한 현지 기업들도 자체 반도체 제품 개발로 사업 영역을 확대하고 있다. 이에 따라 파운드리 수요도 늘어날 것으로 DB하이텍은 전망했다.
인도 정부에 따르면 올해 3월 기준 반도체 설계 지원 제도인 DLI를 통해 24개 기업이 재정 지원을 받았고 105개 신청자가 반도체 설계용 EDA 도구를 지원받았다. 6월 기준 인도 정부가 승인한 반도체 사업은 12건, 총 1조6400억 루피 규모로 이 가운데 화합물반도체 팹도 2곳 포함됐다.
DB하이텍 관계자는 “인도는 현지 팹리스와 반도체 생태계가 빠르게 성장해 새로운 사업 기회가 확대되고 있는 시장”이라며 “이번 행사 참가를 통해 현지 고객과의 접점을 넓히고 전력반도체 및 특화 공정 경쟁력을 기반으로 신규 사업 기회를 지속 발굴해 나갈 것”이라고 말했다.
한편 DB하이텍은 지난해 10월 인도의 유력 반도체 설계 전문 기업 스마트SoC 솔루션스와 전략적 협력 관계를 맺고 현지 시장 공략에 나선 바 있다.
당시 양사는 풍부한 설계 인력에 비해 제조 기반이 절대 부족한 인도를 공략하기 위해 한국의 검증된 제조 역량과 인도의 설계 전문성을 결합을 꾀했다.
[소비자가만드는신문=이혜진 기자]
